秋田エルピーダでは、4段積層0.8㎜の極薄パッケージの量産技術や20段チップ積層パッケージ開発（30μm厚チップの20段積層）などを通じて確立したさまざまな要素技術を、開発、量産に適用してます。
ウェハ薄加工技術
薄型パッケージ製品や積層パッケージ製品の開発や製造に欠かすことのできない技術がウェハバックグラインドです。秋田エルピーダではウェハの裏面を削り、コピー用 紙よりも薄い厚さに加工したウェハを量産適用しています。さらにウェハ厚25μmまで削る技術を確立しており、25μmまで削ったウェハは紙や布のように折れ曲がります。ウェハ厚が薄くなるほどダイシングやピックアップ、ワイヤボンディング、モールドなどその後の製造プロセスの難易度が飛躍的に増します。
ワイヤボンディング技術
高度なワイヤボンディング技術は、薄型パッケージ製品や積層パッケージ製品の開発や製造に欠かすことのできない技術です。長ワイヤ、Chip to Chip、オーバーハングワイヤ、低ワイヤ、短ワイヤなどパッケージ構造に最適なワイヤリングで、薄型パッケージ製品や積層パッケージ製品を実現しています。
フリップチップ接続技術
パッケージの小型化、薄型化、高密度化に欠かせない技術がフリップチップ接続です。チップの表面（回路側）に「バンプ」と呼ばれる接続用金属（Au）を用いた突起電極を形成し、回路面を下に向けて基板に直接電気接続します。TSV（Through Silicon Via：Si貫通電極）の開発においても、チップ間の貫通電極との接続にバンプ接続技術を応用しています。
