ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ：Ｓｉ貫通電極）とはチップに小さな孔を開け、そこに金属を充填することによって、サンドイッチ状に積み重ねた複数のチップを電気的に接続する三次元積層パッケージ技術です。複数のチップをワイヤボンディングで接続する従来の手法に比べて、配線距離を大幅に短縮できるため、高速化、省電力化、小型化などの面で大きなアドバンテージを発揮します。
次世代のキーテクノロジーとして注目されるこのＴＳＶ技術を、当社では2004年にＮＥＤＯ（独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構）の助成により開発を開始、2009年には1ＧビットＤＤＲ3 ＳＤＲＡＭを８枚積層した世界初のＴＳＶ ＤＲＡＭの開発に成功し、以来、ＴＳＶの製品化に取り組んでまいりました。
2011年６月にはシステムの消費電力削減に大きく貢献するエコフレンドリー製品ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ（×32）を世界で初めてサンプル出荷いたしました。
本技術を用いた製品は、急速に市場を拡大している超薄型ノートＰＣやタブレットＰＣなどの省電力化、小型化、薄型化、軽量化に貢献し、環境にも配慮したエコフレンドリーＤＲＡＭです。
